成都超纯应用材料股份有限公司申请刻蚀腔上顶板相关专利，提升刻蚀腔顶板抗氟等离子体腐蚀性能
国家知识产权局信息显示，成都超纯应用材料股份有限公司申请一项名为“真空离子源刻蚀腔上顶板及其制备方法”的专利。申请公布号为CN122727706A，申请号为CN202610999617.1，申请公布日期为2026年9月11日，申请日期为2026年7月7日，发明
成都超纯申请氮化硅陶瓷相关专利，该法制备高弹模增韧降本氮化硅陶瓷
序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1基于环形气幕保护的静电吸盘吸附介质层的喷涂方法发明专利公布CN202610999509.42026-07-07CN122707074A2026-09-08柴杰、施鹏远2真空离子源刻
成都超纯申请静电吸盘喷涂方法相关专利，该喷涂方法可约束悬浮液防扩散降团聚
序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1基于环形气幕保护的静电吸盘吸附介质层的喷涂方法发明专利公布CN202610999509.42026-07-07CN122707074A2026-09-08柴杰、施鹏远2一种石墨支撑
成都超纯应用材料股份有限公司2026年半年度报告摘要
本半年度报告摘要来自半年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到证监会指定媒体仔细阅读半年度报告全文。