芯原微电子（成都）等5家公司共同申请CMOS传感器相关专利，该方法可降低图像信号处理器空闲时段功耗
国家知识产权局信息显示，芯原微电子（成都）有限公司、芯原微电子（上海）股份有限公司、芯原微电子（海南）有限公司、芯原科技（上海）有限公司、芯原微电子（南京）有限公司申请一项名为“基于CMOS传感器在场消隐期间的功耗优化方法、装置及介质”的专利。申请公布号为CN
成都华微电子科技股份有限公司取得带隙基准电路相关专利，该电路生成高精度超低温漂带隙基准电压
国家知识产权局信息显示，成都华微电子科技股份有限公司申请一项名为“一种用于高精度数字温度传感器的超低温漂带隙基准电路”的专利，授权公告号CN121433432B，授权公告日为2026年7月14日。申请公布号为CN121433432A，申请号为CN2025117
京东方、成都京东方取得掩模板组件相关专利，支撑凸出部改善下垂，提升掩模板组件精度
国家知识产权局信息显示，京东方科技集团股份有限公司、成都京东方光电科技有限公司申请一项名为“掩模板组件、显示面板和显示装置”的专利，授权公告号CN224439573U，授权公告日为2026年6月30日。申请号为CN202521550296.4，申请公布日期为2