成都华微电子科技股份有限公司取得带隙基准电路相关专利,该电路生成高精度超低温漂带隙基准电压
国家知识产权局信息显示,成都华微电子科技股份有限公司申请一项名为“一种用于高精度数字温度传感器的超低温漂带隙基准电路”的专利,授权公告号CN121433432B,授权公告日为2026年7月14日。申请公布号为CN121433432A,申请号为CN2025117
国家知识产权局信息显示,成都华微电子科技股份有限公司申请一项名为“一种用于高精度数字温度传感器的超低温漂带隙基准电路”的专利,授权公告号CN121433432B,授权公告日为2026年7月14日。申请公布号为CN121433432A,申请号为CN2025117